近来，来自Lam Research、科罗拉多年夜学博尔德分校、美国动力部普林斯顿等离子体物理试验室（PPPL）的迷信家们配合计划了一种新的蚀刻工艺。该方式应用氟化氢等离子体，将硅资料垂纵贯道的蚀刻效力进步了100%。只要要1分钟即可实现640纳米的蚀刻进程。这一翻新的要害在于，在氧化硅跟氮化硅瓜代层上刻孔，并将分层资料裸露在等离子体情势的化学物资中。让等离子体中的原子与分层资料中的原子彼此感化，从而天生孔洞通道。研讨还发明，联合三氟化磷等特定化学资料能够进一步改良蚀刻工艺。但是，须要留神到的是，在某些情形下，一些副产物可能会影响蚀刻效力。但只要参加适量的水就能够处理这个成绩。比方，在高温下参加水能够让盐剖析，并减速全部进程。这些研讨结果无望为3D NAND闪存技巧供给愈加进步的制作工艺跟更高的存储密度。同时，这些翻新也将下降本钱并进步数据传输速率。将来，咱们能够等待更多对于存储单位重叠技巧的研讨结果跟利用停顿。